Il National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) giapponese ha annunciato il raggiungimento di una percentuale di conversione pari al 17,7% da una cella solare CIGS flessibile. Si tratta di una delle efficienze maggiori mai raggiunte finora nel campo delle thin film a CIGS (rame, gallio, selenio e indio). I ricercatori nipponici invece di agire sulle quantità di semiconduttori composti da metalli alcalini, relativamente instabili, come il floruro di sodio e il selenide di sodio hanno sviluppato una tecnologia che va sotto la sigla di “ASTL” (alkali-silicate thin layer) che utilizza uno strato sottile di vetro composto da sali alcalini silicati. Nel metodo messo a punto dall’AITS uno strato di vetro silicato viene depositato su un substrato di ceramica ed utilizzato per controllare, regolare e diffondere il livello di luce assorbita. La tecnologia è ora in mostra al quarto Simposio del Centro di Ricerca per il Fotovoltaico in questi giorni al Museum of Emerging Science and Innovation di Tokyo.