In mostra alla Photovoltaic Power Generation Expo 2009 la nuova scommessa tecnologica della compagnia nipponica per il fotovoltaico di prossima generazione
Tecnologia Tft (Thin Film Transistor, ovvero transistor a pellicola sottile) applicata alle celle solari organiche. Questa una delle novità presentate da Mitsubishi Chemical Corp al secondo internazionale PV Expo 2009 di Tokyo. I produttori di moduli fotovoltaici stanno guardando con interesse a soluzioni alternative al silicio in grado di abbattere i costi oltre a ridurre il rischio di shortage, cui possono essere soggetti i substrati al polisilicio e assieme alle nanotecnologie il Tft rappresenta uno dei nuovi orientamenti. Tale tecnica prevede che le singole celle dei transistor vengano realizzate direttamente applicando un substrato conduttivo, opportunamente drogato, direttamente sui vetri del pannello, anziché lavorare su un classico _die_ in silicio. Allo stato attuale, le celle messe a punto, 2 millimetri quadrati di area hanno un’efficienza di conversione energetica del 4,9%. Le celle a film sottile di Mitsubishi attualmente utilizzano un derivato del fullerene come semiconduttore di tipo n e un materiale Tft brevettato, denominato “benzorporfirina (BP)”, come tipo p. Si tratta di una molecola inizialmente creata per essere applicata nella tecnologia Oled, ma dimostratosi versatile per le celle grazie grazie alle dimensioni ideali del suo band gap (spazio di banda). Ora l’obiettivo della società è di raggiungere un’efficienza del 10% entro il 2010, e del 15% entro il 2015.
