La tecnologia a film sottile basata su semiconduttori CIGS (ovvero rame-indio-gallio-selenio) ha come principale vantaggio il basso costo di realizzazione ed un processo di produzione facilmente automatizzabile che quindi permette produzioni in grandi volumi, presentando tuttavia rendimenti più bassi rispetto alle celle solari in silicio. Finalmente questa tecnologia può competere anche dal punto di vista dell’efficienza. I ricercatori del Laboratorio Nazionale per l’Energia Rinnovabile (NREL) del dipartimento dell’Energia degli USA hanno annunciato d’aver raggiunto un nuovo record mondiale di conversione dell’energia solare pari al 19,9%, non molto lontana da quella del silicio policristallino (20,3%). Il risultato oggi raggiunto è “una pietra miliare – commenta Miguel Contreras, ricercatore senior al NREL – L’obiettivo per i ricercatori del film sottile era raggiungere performance simili a quelle ottenute col silicio. E noi ci siamo riusciti”. I ricercatori sono stati in grado di raggiungere questo risultato grazie ad alcuni miglioramenti nella qualità dei materiali applicati durante il processo di fabbricazione ed all’incremento della potenza di uscita dalla cella.