Le celle multi-giunzione messe a punto nei laboratori dell’Istituto Fraunhofer di Friburgo continuano a segnare la strada superando i record da loro stesse stabilite. I ricercatori tedeschi sono infatti riusciti a raggiungere un’efficienza di conversione pari al 41,1%, un vero e proprio record mondiale per queste celle costituite da uno strato multiplo di semiconduttori, senza pertanto l’impiego di silicio. L’ottima prestazione è stata ottenuta dopo aver concentrato i raggi luminosi di un fattore pari a 454 volte su una cella di 5 mm ² realizzata in GaInP / GaInAs / Ge (fosfuro di indio gallio, arseniuro di gallio-indio su un substrato di germanio). Gli scienziati, utilizzando quella che viene denominata “crescita metamorfica”, sono stati in grado di isolare, all’interno di un’area elettricamente inattiva della cella, i difetti dovuti alle impurità normalmente presenti nelle zone dove i reticoli dei diversi materiali si incontrano.
“Tale innovazione – ha commentato il manager dell’Istituto, Eicke Weber – è un buon esempio di come il controllo sui difetti dei cristalli nei materiali semiconduttori possa portare a scoperte tecnologiche di tale calibro”.
Un risultato che fa, a buon diritto, inorgoglire gli scienziati: “Siamo entusiasti di questa scoperta – spiega Frank Dimroth, capo del gruppo ‘III-V – Epitaxy and Solar Cells’ al Fraunhofer ISE – “Per tutto il tempo abbiamo creduto nel nostro concetto di celle solari metamorfiche a tripla giunzione e oggi il nostro successo è reso possibile solo attraverso l’impegno profuso nel corso degli ultimi anni”.
Nell’intento di introdurre questa tecnica a livello di mercato, l’Istituto Fraunhofer si appoggia ad altre due società tedesche: la Azur Space e la Concentrix Solar GmbH. “Il nostro obiettivo – dichiara Andreas Bett, direttore del dipartimento presso l’Istituto – è raggiungere una forte competitività del fotovoltaico rispetto ai convenzionali generatori di energie elettrica”.