Il produttore Alta Devices taglia un nuovo traguardo per i pannelli solari in film sottile: un’efficienza di conversione del 25,1%. Un valore unico al mondo la tecnologia in arseniuro di gallio
A breve la prima Audi dotata di tettuccio con fotovoltaico sottile in GaAs
(Rinnovabili.it) – È arrivata la conferma indipendente del Fraunhofer ISE: il fotovoltaico sottile in GaAs (arseniuro di gallio) ha un nuovo record mondiale d’efficienza. A segnarlo sono i moduli prodotti dalla californiana Alta Devices, consociata della cinese Hanergy Thin Film Power Group. I nuovi pannelli in film sottile hanno mostrato un’efficienza di conversione mai raggiunta prima per questo tipo di semiconduttore, impiegando celle a singola giunzione, ossia ben il 25,1 per cento.
Un valore che secondo la società basterebbe per aprire al fotovoltaico sottile in GaAS le porte del mondo dei droni o addirittura dei veicoli elettrici. “Il nostro obiettivo con questo modulo era dimostrare l’efficienza record nella produzione di massa su scala commerciale”, afferma il dott. Jian Ding, vicepresidente senior di Hanergy Thin Film e CEO di Alta Devices. “Le applicazioni per questo tipo di solare sottile e flessibile stanno diventando sempre più ampie e sempre più critiche”.
D’altra parte la tecnologia è una delle più promettenti in campo di thin film. I dispositivi fv a base di arsenurio di gallio possono offrire prestazioni fino a due volte superiori a quelle di normali celle solari flessibili. Non solo. Il GaAs è uno dei semiconduttori che meglio converte la radiazione dello spettro solare in energia elettrica al punto da essere molto più efficiente anche del silicio. Per molto tempo, il costo elevato ha relegato questa tecnologia perlopiù alla nicchia spaziale. Negli anni, tuttavia, il settore ha aumentato ulteriormente l’efficienza e ridotto il peso per portare il fotovoltaico sottile in GaAs sul mercato di massa, obiettivo che l’Hanergy insegue dal 2010.
I moduli di Alta Devices sono realizzati grazie ad un processo chiamato MOCVD, una deposizione chimica da vapore che consente la crescita di film sottile di GaAs sopra i wafer monocristallini di arseniuro di gallio. Questo processo assieme ad altre innovazioni tecniche ha permesso all’azienda di raggiungere anche il record mondiale d’efficienza per la singola cella di 28,8 per cento.
A dicembre dello scorso anno, inoltre, Alta Devices ha firmato un accordo di collaborazione con Audi per integrare i suoi moduli nelle auto tedesche. Il primo prototipo prevede l’installazione di celle solari nei tettucci in vetro dei veicoli, con l’obiettivo di alimentare sistemi ausiliari come climatizzatori o riscaldatori di sedili. In una seconda fase i moduli rivestiranno l’intera copertura.
