Aumentare le prestazioni del silicio di bassa qualità, controllando gli atomi di idrogeno inseriti nella sua struttura per correggerne i difetti. E’ la sfida accettata da un’università australiana
(Rinnovabili.it) – Non si arrestano le migliorie tecnologiche nel campo del fotovoltaico. L’ultima in ordine cronologico appartiene ai ricercatori dell’ University of New South Wales, Australia, che sono riusciti a mettere a punto un metodo innovativo per migliorare il silicio solare di basso grado. L’obiettivo degli scienziati era di ottenere per questa qualità del semiconduttore un deciso incremento dell’efficienza e dunque un passepartout verso moduli e celle a costi inferiori rispetto a quelli attuali. Per riuscire nell’impresa il team australiano ha scoperto un meccanismo per controllare gli atomi di idrogeno introdotti nella struttura atomica del silicio di bassa qualità (passivazione) per correggerne le carenze ed aumentare la sue prestazioni fotovoltaiche.
Attualmente le celle commerciali standard realizzate con questo semiconduttore, spiegano gli scienziati, hanno un grado di rendimento massimo di circa il 19% circa; la nuova tecnica, brevettata da ricercatori UNSW all’inizio di quest’anno, dovrebbe produrre efficienze tra il 21% e il 23%. In altre parole, dichiara Stuart Wenham, a capo del progetto, “questo processo permetterà di silicio di qualità inferiore a sovraperformare le celle solari realizzate con materiali di migliore qualità […] e saremo così in grado di consentire significative riduzioni dei costi”. Nel dettaglio lo studio ha permesso di controllare lo stato di carica degli atomi di idrogeno, ovvero l’elemento che determina come l’idrogeno possa spostarsi nel silicio e la sua reattività. Il team ha attualmente otto partner industriali interessati a commercializzare la tecnologia, e sta anche lavorando con aziende produttrici di apparecchiature per implementare le nuove funzionalità.