(Rinnovabili.it) – Il Giappone ottiene ancora un riferimento nel libro dei Guinness. E’ nipponica, infatti, la società che ha realizzato l’ultimo record in campo fotovoltaico. Parliamo della Panasonic che, attraverso un comunicato stampa, fa sapere di aver realizzato il primo modulo fotovoltaico in silicio cristallino ad aver superato lo scoglio del 23% come efficienza di conversione della luce in elettricità. E’ bene precisare però che si tratta di un valore “da laboratorio”, e che dunque potrebbe ancora non portare a uguali performance in condizioni ambientali.
Premessa a parte, la Panasonic ce l’ha fatta, superando ampiamente il precedente primato mondiale per fotovoltaico in silicio cristallino (22,8%). Nello specifico gli ingegneri nipponici hanno raggiunto un’efficienza del 23,8% con un modulo di apertura 11.562 cm², dato convalidato dall’Istituto Giapponese di Scienza avanzata e tecnologia industriale AIST.
L’ottimo risultato arriva quasi due anni dopo aver segnato un altro record prestazionale, stavolta per quanto riguarda le celle solari. Ad aprile 2014 Panasonic aveva annunciato un’efficienza di conversione del 25,6% nella sua linea di celle in silicio. Lo straordinario valore, oggi ancora imbattuto, è stato raggiunto grazie alla sua tecnologia HIT, Heterojunction with Intrinsic Thin layer, dove in pratica ogni unità fotovoltaica è realizzata da un substrato di silicio cristallino coperto da strati di silicio amorfo. Il fotovoltaico HIT deve le sue prestazioni in particolar modo a tre elementi:
- Riduzione delle perdite di prestazioni dovute alla ricombinazione dei portatori di carica (particelle elettriche generate dalla luce) tramite strati di laminature di silicio amorfo di alta qualità sulla superficie del substrato di silicio monocristallino, dove l’energia viene generata.
- Riduzione della perdita ottica.Questa innovazione ha reso possibile un netto miglioramento nella densità della corrente di corto circuito (Jsc), con un valore di 41,8 mA/cm2 rispetto al precedente dato di Panasonic, di 39,5 mA/cm2 (nel caso di una cella con efficienza di conversione del 24,7%).
- Minimizzazione della perdita di resistenza,collocando gli elettrodi sul lato posteriore. Inoltre, è stato ottenuto un elevato fattore di riempimento (o FF, fill factor) pari a 0,827 anche su celle di dimensioni pratiche, migliorando le prestazioni in termini di perdita di resistenza sullo strato di silicio amorfo.