Fotovoltaico in silicio, è record del mondo in casa Panasonic

Il merito del progresso è tutto d attribuire alla tecnologia HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin layer): celle solari realizzate da un sottile wafer monocristallino rivestito di silicio amorfo ultrasottile

(Rinnovabili.it) – Nei laboratori della Panasonic Corporation è stato tagliato un traguardo importante: i ricercatori giapponesi sono riusciti ad infrangere l’ultimo record in fatto di prestazioni per il fotovoltaico in silicio, raggiungendo un’efficienza di conversione del 25,6% (in una cella di 143,7 cm² di superficie). Il merito del progresso è tutto da attribuire alla tecnologia HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin layer) della casa nipponica, ovvero celle solari realizzate da un sottile wafer monocristallino rivestito di silicio amorfo ultrasottile.

Una caratteristica chiave di questa tecnologia è la sua capacità di ridurre le perdite per “ricombinazione”: nelle celle solari in silicio, infatti, la ricombinazione dei portatori di carica sulla superficie fa sì che alcuni elettroni vengano persi prima di poter raggiungere i contatti elettrici, riducendo di conseguenza la quantità di energia generata. 

Le migliori prestazioni sono state resi possibili grazie all’adozione di una struttura “back-contact”, con gli elettrodi posti sul retro della cella solare, per permettere l’utilizzo più efficiente della luce solare; il risultato rappresenta un miglioramento  di quasi l’1 per cento rispetto al precedente record di efficienza, raggiunto sempre da Panasonic nel febbraio 2013 in quella che la società definisce un a cella solare di dimensione pratica, ovvero con una superficie di oltre 100 cm ².